STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 15 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 687-5257
- Tillv. art.nr:
- STW15NK90Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
98,90 kr
(exkl. moms)
123,62 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 49 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 21 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 39 enhet(er) från den 07 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 98,90 kr |
| 10 - 99 | 58,45 kr |
| 100 + | 51,63 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-5257
- Tillv. art.nr:
- STW15NK90Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 900V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 550mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 190nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal effektförlust Pd | 350W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Längd | 15.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 900V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 550mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 190nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal effektförlust Pd 350W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 20.15mm | ||
Längd 15.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 700 V till 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 15 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5.8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 9.2 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 13 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 8.3 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 3.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH