Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C3

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

41,10 kr

(exkl. moms)

51,38 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 10 enhet(er) från den 27 april 2026
  • Dessutom levereras 122 enhet(er) från den 04 maj 2026
  • Dessutom levereras 500 enhet(er) från den 25 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +20,55 kr41,10 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
753-3197
Distrelec artikelnummer:
304-35-448
Tillv. art.nr:
SPP04N80C3XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Serie

CoolMOS C3

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.3Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

63W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

23nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

15.95mm

Längd

10.36mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineon CoolMOS™C3 kraft-MOSFET


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar