DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 5.9 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, ZXMP10A18K AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 751-5360
- Tillv. art.nr:
- ZXMP10A18KTC
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
87,63 kr
(exkl. moms)
109,54 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 17 195 enhet(er) levereras från den 01 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 17,526 kr | 87,63 kr |
| 25 - 120 | 17,07 kr | 85,35 kr |
| 125 - 620 | 16,632 kr | 83,16 kr |
| 625 - 1245 | 16,158 kr | 80,79 kr |
| 1250 + | 15,79 kr | 78,95 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 751-5360
- Tillv. art.nr:
- ZXMP10A18KTC
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | ZXMP10A18K | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 190mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 10.2W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 26.9nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.85V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie ZXMP10A18K | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 190mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 10.2W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 26.9nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.85V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.22mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 2.39mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal MOSFET, 100 V till 450 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 5.9 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, ZXMP10A18K AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 55 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 79 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 79 A 12 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 14 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.5 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 55 A 40 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101