DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.5 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 751-4281
- Tillv. art.nr:
- DMP4051LK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
193,175 kr
(exkl. moms)
241,475 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 50 enhet(er) från den 15 juni 2026
- Dessutom levereras 3 125 enhet(er) från den 22 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 7,727 kr | 193,18 kr |
| 125 - 600 | 6,954 kr | 173,85 kr |
| 625 + | 6,182 kr | 154,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 751-4281
- Tillv. art.nr:
- DMP4051LK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | DMP | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 85mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 8.9W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Längd | 6.7mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie DMP | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 85mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximal effektförlust Pd 8.9W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.39mm | ||
Längd 6.7mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal MOSFET, 40 V till 90 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.5 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 17 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 14 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 55 A 40 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 7.4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, TSSOP, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 18.2 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMP AEC-Q101