DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 17 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 770-5178
- Tillv. art.nr:
- DMP3010LK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
80,42 kr
(exkl. moms)
100,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 40 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 1 880 enhet(er) från den 19 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 8,042 kr | 80,42 kr |
| 50 - 120 | 5,779 kr | 57,79 kr |
| 130 - 620 | 4,603 kr | 46,03 kr |
| 630 - 1250 | 4,166 kr | 41,66 kr |
| 1260 + | 3,741 kr | 37,41 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 770-5178
- Tillv. art.nr:
- DMP3010LK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 17A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | DMP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.4W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 59.2nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.7mm | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie DMP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 3.4W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 59.2nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.7mm | ||
Höjd 2.39mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 17 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.5 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 14 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 55 A 40 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 7.4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, TSSOP, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8, DMP AEC-Q101