DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 5.6 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN6068SE AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 751-4219
- Tillv. art.nr:
- DMN6068SE-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
116,475 kr
(exkl. moms)
145,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 900 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 9 425 enhet(er) från den 10 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 175 | 4,659 kr | 116,48 kr |
| 200 - 975 | 4,193 kr | 104,83 kr |
| 1000 + | 3,732 kr | 93,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 751-4219
- Tillv. art.nr:
- DMN6068SE-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | DMN6068SE | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 100mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.7W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.3nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.15V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.7mm | |
| Höjd | 1.65mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie DMN6068SE | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 100mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 3.7W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.3nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.15V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.7mm | ||
Höjd 1.65mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 40 V till 90 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 5.6 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN6068SE AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 15.4 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 18.2 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 7.1 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN6040SE AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 260 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 70 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 6.4 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101