DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMG1012UW-7 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 751-4073
- Tillv. art.nr:
- DMG1012UW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 100 enheter)*
121,00 kr
(exkl. moms)
151,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 - 500 | 1,21 kr | 121,00 kr |
| 600 - 1400 | 1,147 kr | 114,70 kr |
| 1500 + | 0,861 kr | 86,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 751-4073
- Tillv. art.nr:
- DMG1012UW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SC-70 | |
| Serie | DMG1012UW-7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 750mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 290mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.74nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 2.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SC-70 | ||
Serie DMG1012UW-7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 750mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 290mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.74nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 2.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.35mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 12 V till 28 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMG1012UW-7 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 2.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMN3067LW AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMN3065LW AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 820 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMG1013UW AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 70 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, BSS127 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 3.1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMN601WK AEC-Q101
