DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 820 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMG1013UW AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 751-4070
- Tillv. art.nr:
- DMG1013UW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 100 enheter)*
135,70 kr
(exkl. moms)
169,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 900 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 2 800 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 + | 1,357 kr | 135,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 751-4070
- Tillv. art.nr:
- DMG1013UW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 820mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SC-70 | |
| Serie | DMG1013UW | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.62nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 310mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.2mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 820mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SC-70 | ||
Serie DMG1013UW | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.62nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 310mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.2mm | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal MOSFET, 12 V till 25 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 820 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMG1013UW AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, BSS84W AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 310 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS P AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMG1012UW-7 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 2.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMN3067LW AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMN3065LW AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 70 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, BSS127 AEC-Q101