DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, IntelliFET
- RS-artikelnummer:
- 738-5200
- Tillv. art.nr:
- ZXMS6004DT8TA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
124,18 kr
(exkl. moms)
155,225 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 45 enhet(er) från den 04 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 24,836 kr | 124,18 kr |
| 50 - 95 | 22,352 kr | 111,76 kr |
| 100 + | 19,868 kr | 99,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 738-5200
- Tillv. art.nr:
- ZXMS6004DT8TA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | IntelliFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 600mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.25V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.13W | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Bredd | 3.95mm | |
| Längd | 4.95mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie IntelliFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 600mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.25V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.13W | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.5mm | ||
Bredd 3.95mm | ||
Längd 4.95mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
IntelliFET Självskyddade MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET är självskyddande MOSFET:er som innehåller ett komplett utbud av skyddskretsar som skyddar mot ESD (Electrostatic Sensitive Device), överström, överspänning och övertemperatur.
Kortslutningsskydd med automatisk omstart
Skydd mot överspänning (aktiv klämma)
Överströmsskydd
Ingångsskydd (ESD)
Hög kontinuerlig strömklassning
Skydd mot lastdumpning
Ingång för logisk nivå
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, IntelliFET
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 2.8 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, IntelliFET
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 2.8 A 70 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, IntelliFET
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.3 A 70 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, IntelliFET AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, ZXMN6A07F AEC-Q101
- DiodesZetex MOSFET med förstärkning av N-kanaler Typ N Kanal, MOSFET, 44.5 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, DMW
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8
- DiodesZetex N-kanal Kanal, MOSFET, 210 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN67D7L