DiodesZetex MOSFET med förstärkning av N-kanaler N Kanal, MOSFET, 44.5 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, DMW

Denna bild representerar endast produktgruppen

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

153,97 kr

(exkl. moms)

192,46 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 60 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 9153,97 kr
10 - 99138,57 kr
100 +127,81 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
427-678
Tillv. art.nr:
DMWSH120H80SM3
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

44.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

TO-247

Serie

DMW

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

MOSFET med förstärkning av N-kanaler

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
DiodesZetex SiC MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.

Helt blyfri och helt RoHS-kompatibel

Halogen- och antimonfritt

Låg ingångskapacitans

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.