DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, IntelliFET
- RS-artikelnummer:
- 122-0311
- Tillv. art.nr:
- ZXMS6004DT8TA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
5 951,00 kr
(exkl. moms)
7 439,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 5,951 kr | 5 951,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 122-0311
- Tillv. art.nr:
- ZXMS6004DT8TA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | IntelliFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 600mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.13W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.25V | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Längd | 4.95mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie IntelliFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 600mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.13W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.25V | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Längd 4.95mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
IntelliFET Självskyddade MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET är självskyddande MOSFET:er som innehåller ett komplett utbud av skyddskretsar som skyddar mot ESD (Electrostatic Sensitive Device), överström, överspänning och övertemperatur.
Kortslutningsskydd med automatisk omstart
Skydd mot överspänning (aktiv klämma)
Överströmsskydd
Ingångsskydd (ESD)
Hög kontinuerlig strömklassning
Skydd mot lastdumpning
Ingång för logisk nivå
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal 1.2 A 60 V Förbättring IntelliFET
- DiodesZetex Typ N Kanal 2.8 A 60 V Förbättring SOT-223, IntelliFET
- DiodesZetex Typ N Kanal 2.8 A 70 V Förbättring SOT-223, IntelliFET
- DiodesZetex Typ N Kanal 1.3 A 70 V Förbättring SOT-23, IntelliFET AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal 1.2 A 60 V Förbättring SOT-23, ZXMN6A07F AEC-Q101
- DiodesZetex MOSFET med förstärkning av N-kanaler Typ N Kanal 44.5 A 1200 V Förbättring TO-247, DMW
- DiodesZetex Typ N Kanal 8 Ben, PowerDI5060-8
- DiodesZetex N-kanal Kanal 430 mA 60 V Förbättring SOT-23, DMN62D0U
