Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 2.4 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IRFR420

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

118,50 kr

(exkl. moms)

148,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 390 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 9011,85 kr118,50 kr
100 - 24011,603 kr116,03 kr
250 - 49010,08 kr100,80 kr
500 - 9909,598 kr95,98 kr
1000 +7,818 kr78,18 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
710-4657
Tillv. art.nr:
IRFR420TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

500V

Serie

IRFR420

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

19nC

Maximal effektförlust Pd

42W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

2.39mm

Bredd

6.22mm

Längd

6.73mm

Standarder/godkännanden

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Fordonsstandard

Nej

Vishay IRFR420-serien effekt-MOSFET, 500 V maximal drain-källspänning, 42 W maximal effektförlust – IRFR420TRPBF


Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för omkopplings- och strömhanteringsroller i industriell och elektronisk utrustning. Den fungerar i ett brett temperaturområde för krävande miljöer och levereras i ett kompakt ytmonterat paket som är lämpligt för montering på kortnivå.

Funktioner och fördelar:


• 500 V maximal drain-source-spänning för högspänningsomkopplingskapacitet
• 3 Ω Rds(on) möjliggör förutsägbara ledningsförluster
• 2.4 A kontinuerlig dräneringsström för hantering av stabil belastning
• 19 nC grindladdning som stöder effektiva omkopplingsövergångar
• Maximalt 42 W effektförlust för termisk prestandabudgetering
• 20 V gate-source-klassning för att rymma starka gate-drivmarginaler

Användningsområden


• Lämpligt för switchade nätaggregat med hög spänning
• Idealisk för industriella motorstyrningsfrontändar
• Används med isolerade DC/DC-omvandlare i kraftsystem
• Kan användas för omkopplingskretsar för lampor och värmare
• Lämplig för robust elektronik som drivs vid extrema temperaturer

Vilken monteringsmetod bör användas för tillförlitlig drift?


Paketet är av TO-252-typ för ytmontering, så standard SMT-reflow-processer och kompatibla jordmönster är lämpliga för montering på kretskort.

Vilka termiska gränser måste konstruktörer ta hänsyn till under layouten?


Enheten förbrukar upp till 42 W

kopparyta, termiska ledningar och tillräcklig värmeavledning på kretskortet krävs för att hantera kopplingstemperaturen inom gränserna.

Hur påverkar valet av grinddrivare omkopplingsprestanda?


En enhet som kan närma sig 20 V grind-källgränsen ger snabbare påslagning medan 19 nC grindladdningsfaktorn hjälper till att uppskatta nödvändig drivström och omkopplingsförluster.

Vilka miljöextrema kan den motstå?


Den är specifik för drift från -55 °C till 150 °C, vilket möjliggör användning i applikationer med breda omgivnings- och kopplingstemperatursvängningar.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.