Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 2.4 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IRFR420

RS-artikelnummer:: 177-7553
Tillv. art.nr:: IRFR420TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 2.4 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IRFR420

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

10 026,00 kr

(exkl. moms)

12 532,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 12 maj 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2000 +	5,013 kr	10 026,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 177-7553
Tillv. art.nr:: IRFR420TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	2.4A
	Maximal källspänning för dränering Vds	500V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	IRFR420
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	3Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.6V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	19nC
	Maximal effektförlust Pd	42W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	2.39mm
	Bredd	6.22mm
	Längd	6.73mm
	Standarder/godkännanden	RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.4A
	Maximal källspänning för dränering Vds 500V
	Kapseltyp TO-252
	Serie IRFR420
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 3Ω
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.6V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC
	Maximal effektförlust Pd 42W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 2.39mm
	Bredd 6.22mm
	Längd 6.73mm
	Standarder/godkännanden RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Fordonsstandard Nej

Vishay IRFR420-serien effekt-MOSFET, 500 V maximal drain-källspänning, 42 W maximal effektförlust – IRFR420TRPBF

Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för omkopplings- och strömhanteringsroller i industriell och elektronisk utrustning. Den fungerar i ett brett temperaturområde för krävande miljöer och levereras i ett kompakt ytmonterat paket som är lämpligt för montering på kortnivå.

Funktioner och fördelar:

• 500 V maximal drain-source-spänning för högspänningsomkopplingskapacitet
• 3 Ω Rds(on) möjliggör förutsägbara ledningsförluster
• 2.4 A kontinuerlig dräneringsström för hantering av stabil belastning
• 19 nC grindladdning som stöder effektiva omkopplingsövergångar
• Maximalt 42 W effektförlust för termisk prestandabudgetering
• 20 V gate-source-klassning för att rymma starka gate-drivmarginaler

Användningsområden

• Lämpligt för switchade nätaggregat med hög spänning
• Idealisk för industriella motorstyrningsfrontändar
• Används med isolerade DC/DC-omvandlare i kraftsystem
• Kan användas för omkopplingskretsar för lampor och värmare
• Lämplig för robust elektronik som drivs vid extrema temperaturer

Vilken monteringsmetod bör användas för tillförlitlig drift?

Paketet är av TO-252-typ för ytmontering, så standard SMT-reflow-processer och kompatibla jordmönster är lämpliga för montering på kretskort.

Vilka termiska gränser måste konstruktörer ta hänsyn till under layouten?

Enheten förbrukar upp till 42 W

kopparyta, termiska ledningar och tillräcklig värmeavledning på kretskortet krävs för att hantera kopplingstemperaturen inom gränserna.

Hur påverkar valet av grinddrivare omkopplingsprestanda?

En enhet som kan närma sig 20 V grind-källgränsen ger snabbare påslagning medan 19 nC grindladdningsfaktorn hjälper till att uppskatta nödvändig drivström och omkopplingsförluster.

Vilka miljöextrema kan den motstå?

Den är specifik för drift från -55 °C till 150 °C, vilket möjliggör användning i applikationer med breda omgivnings- och kopplingstemperatursvängningar.