Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 2.4 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IRFR420

RS-artikelnummer:: 177-7553
Tillv. art.nr:: IRFR420TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 2.4 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IRFR420

För närvarande inte tillgänglig

Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.

RS-artikelnummer:: 177-7553
Tillv. art.nr:: IRFR420TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	2.4A
	Maximal källspänning för dränering Vds	500V
	Serie	IRFR420
	Kapseltyp	TO-252
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	3Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	42W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	19nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.6V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	2.39mm
	Standarder/godkännanden	RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Bredd	6.22mm
	Längd	6.73mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.4A
	Maximal källspänning för dränering Vds 500V
	Serie IRFR420
	Kapseltyp TO-252
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 3Ω
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 42W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.6V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 2.39mm
	Standarder/godkännanden RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Bredd 6.22mm
	Längd 6.73mm
	Fordonsstandard Nej

Vishay IRFR420-serien effekt-MOSFET, 500 V maximal drain-källspänning, 42 W maximal effektförlust – IRFR420TRPBF

Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för omkopplings- och strömhanteringsroller i industriell och elektronisk utrustning. Den fungerar i ett brett temperaturområde för krävande miljöer och levereras i ett kompakt ytmonterat paket som är lämpligt för montering på kortnivå.

Funktioner och fördelar:

• 500 V maximal drain-source-spänning för högspänningsomkopplingskapacitet
• 3 Ω Rds(on) möjliggör förutsägbara ledningsförluster
• 2.4 A kontinuerlig dräneringsström för hantering av stabil belastning
• 19 nC grindladdning som stöder effektiva omkopplingsövergångar
• Maximalt 42 W effektförlust för termisk prestandabudgetering
• 20 V gate-source-klassning för att rymma starka gate-drivmarginaler

Användningsområden

• Lämpligt för switchade nätaggregat med hög spänning
• Idealisk för industriella motorstyrningsfrontändar
• Används med isolerade DC/DC-omvandlare i kraftsystem
• Kan användas för omkopplingskretsar för lampor och värmare
• Lämplig för robust elektronik som drivs vid extrema temperaturer

Vilken monteringsmetod bör användas för tillförlitlig drift?

Paketet är av TO-252-typ för ytmontering, så standard SMT-reflow-processer och kompatibla jordmönster är lämpliga för montering på kretskort.

Vilka termiska gränser måste konstruktörer ta hänsyn till under layouten?

Enheten förbrukar upp till 42 W

kopparyta, termiska ledningar och tillräcklig värmeavledning på kretskortet krävs för att hantera kopplingstemperaturen inom gränserna.

Hur påverkar valet av grinddrivare omkopplingsprestanda?

En enhet som kan närma sig 20 V grind-källgränsen ger snabbare påslagning medan 19 nC grindladdningsfaktorn hjälper till att uppskatta nödvändig drivström och omkopplingsförluster.

Vilka miljöextrema kan den motstå?

Den är specifik för drift från -55 °C till 150 °C, vilket möjliggör användning i applikationer med breda omgivnings- och kopplingstemperatursvängningar.