Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 688-7216
- Distrelec artikelnummer:
- 304-35-447
- Tillv. art.nr:
- IRLB4030PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
102,82 kr
(exkl. moms)
128,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 44 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 1 016 enhet(er) från den 14 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 51,41 kr | 102,82 kr |
| 20 - 48 | 43,68 kr | 87,36 kr |
| 50 - 98 | 41,105 kr | 82,21 kr |
| 100 - 198 | 37,97 kr | 75,94 kr |
| 200 + | 35,39 kr | 70,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 688-7216
- Distrelec artikelnummer:
- 304-35-447
- Tillv. art.nr:
- IRLB4030PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 370W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -16V, +16V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 87nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 9.02mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 370W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -16V, +16V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 87nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.83mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 9.02mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 180 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRLB4030PBF
Denna MOSFET med n-kanalförstärkning är en högströmsströmställare som är utformad för genomgående hålmontering i TO-220-kapslar, avsedd för krävande strömomvandlings- och omkopplingstillämpningar. Den fungerar över ett brett termiskt område och stöder grindstyrd styrning för effektiv ledning i DC-kretsar där låg påslagningsresistans och betydande kontinuerlig strömkapacitet krävs.
Funktioner och fördelar:
• Mycket låg påslagningsresistans på 4 mΩ för minskade ledningsförluster
• Hanterar kontinuerlig dräneringsström på 180 A för tillämpningar med hög belastning
• Nominell dräneringskällspänning 100 V för att passa medelspänningssystem
• Maximal effektförlust på 370 W för långvarig termisk belastning
• Typisk grindladdning 87 nC möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• Gate-source tål upp till 16 V för robust drivmarginal
• Hanterar kontinuerlig dräneringsström på 180 A för tillämpningar med hög belastning
• Nominell dräneringskällspänning 100 V för att passa medelspänningssystem
• Maximal effektförlust på 370 W för långvarig termisk belastning
• Typisk grindladdning 87 nC möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• Gate-source tål upp till 16 V för robust drivmarginal
Användningsområden
• Lämplig för motorstyrningsstegen med hög strömstyrka
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används med batterihantering och DC/DC-omvandlare
• Kan användas för omkoppling av industriella växelriktare
• Lämplig för eldistributionsställ för telekom
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används med batterihantering och DC/DC-omvandlare
• Kan användas för omkoppling av industriella växelriktare
• Lämplig för eldistributionsställ för telekom
Vilka termiska extremer tål den under drift?
Enheten är specifik för att fungera mellan -55 °C och 175 °C, vilket möjliggör användning i både kalla startförhållanden och miljöer med förhöjd temperatur nära värmekällor.
Hur ska den monteras för att effektivt hantera värmen?
Den levereras i en TO-220-förpackning med genomgående hål som möjliggör säker bultfäste på kylelement, vilket möjliggör direkt värmeledning från förpackningsfliken för förbättrad kylning.
Vilka omkopplingsegenskaper påverkar valet av grinddrivare?
Med en typisk total grindladdning på 87 nC måste drivkretsar leverera tillräcklig toppström för önskade övergångstider samtidigt som de hanterar omkopplingsförluster.
Vilket kropps- och kanalbeteende påverkar valet av kretstopologi?
Som en N-kanalförstärkningsenhet leder den när den är positivt driven vid grinden i förhållande till källan, vilket gör den lämplig för lågsidig omkoppling och synkrona topologier.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 75 V, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 92 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET