Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 545,05 kr

(exkl. moms)

1 931,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5030,901 kr1 545,05 kr
100 - 20025,957 kr1 297,85 kr
250 +24,102 kr1 205,10 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
124-9026
Tillv. art.nr:
IRLB4030PBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

180A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-220

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

370W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-16V, +16V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

87nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.83mm

Längd

10.67mm

Höjd

9.02mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MX

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 180 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRLB4030PBF


Denna MOSFET med n-kanalförstärkning är en högströmsströmställare som är utformad för genomgående hålmontering i TO-220-kapslar, avsedd för krävande strömomvandlings- och omkopplingstillämpningar. Den fungerar över ett brett termiskt område och stöder grindstyrd styrning för effektiv ledning i DC-kretsar där låg påslagningsresistans och betydande kontinuerlig strömkapacitet krävs.

Funktioner och fördelar:


• Mycket låg påslagningsresistans på 4 mΩ för minskade ledningsförluster
• Hanterar kontinuerlig dräneringsström på 180 A för tillämpningar med hög belastning
• Nominell dräneringskällspänning 100 V för att passa medelspänningssystem
• Maximal effektförlust på 370 W för långvarig termisk belastning
• Typisk grindladdning 87 nC möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• Gate-source tål upp till 16 V för robust drivmarginal

Användningsområden


• Lämplig för motorstyrningsstegen med hög strömstyrka
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används med batterihantering och DC/DC-omvandlare
• Kan användas för omkoppling av industriella växelriktare
• Lämplig för eldistributionsställ för telekom

Vilka termiska extremer tål den under drift?


Enheten är specifik för att fungera mellan -55 °C och 175 °C, vilket möjliggör användning i både kalla startförhållanden och miljöer med förhöjd temperatur nära värmekällor.

Hur ska den monteras för att effektivt hantera värmen?


Den levereras i en TO-220-förpackning med genomgående hål som möjliggör säker bultfäste på kylelement, vilket möjliggör direkt värmeledning från förpackningsfliken för förbättrad kylning.

Vilka omkopplingsegenskaper påverkar valet av grinddrivare?


Med en typisk total grindladdning på 87 nC måste drivkretsar leverera tillräcklig toppström för önskade övergångstider samtidigt som de hanterar omkopplingsförluster.

Vilket kropps- och kanalbeteende påverkar valet av kretstopologi?


Som en N-kanalförstärkningsenhet leder den när den är positivt driven vid grinden i förhållande till källan, vilket gör den lämplig för lågsidig omkoppling och synkrona topologier.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.