STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 687-5355
- Tillv. art.nr:
- STW5NK100Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
106,74 kr
(exkl. moms)
133,42 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 enhet(er) från den 08 juni 2026
- Dessutom levereras 958 enhet(er) från den 15 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 2 | 53,37 kr | 106,74 kr |
| 4 + | 50,68 kr | 101,36 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-5355
- Tillv. art.nr:
- STW5NK100Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1kV | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.7Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Längd | 15.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1kV | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.7Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 20.15mm | ||
Längd 15.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 700 V till 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 8.3 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1.85 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, IPAK, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 17.5 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH