STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-247
- RS-artikelnummer:
- 485-8623
- Tillv. art.nr:
- STW9NK90Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
46,26 kr
(exkl. moms)
57,82 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 107 enhet(er) från den 31 augusti 2026
- Dessutom levereras 27 enhet(er) från den 31 augusti 2026
- Dessutom levereras 11 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 46,26 kr |
| 10 - 99 | 27,66 kr |
| 100 + | 23,41 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 485-8623
- Tillv. art.nr:
- STW9NK90Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 900V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.3Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 72nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 160W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 15.75mm | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 900V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.3Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 72nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 160W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 15.75mm | ||
Höjd 20.15mm | ||
Bredd 5.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 700 V till 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-247
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9.2 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 110 A 900 V Förbättring, 3 Ben, HIP-247-3, Sct AEC-Q101
- Wolfspeed Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, C3M
- Wolfspeed Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, C3M