STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET F3
- RS-artikelnummer:
- 687-5096
- Tillv. art.nr:
- STB140NF75T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Lägg till 20 till för att spara 362,90 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
96,21 kr
(exkl. moms)
120,26 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Dessutom levereras 568 enhet(er) från den 05 november 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 48,105 kr | 96,21 kr | - |
| 20 - 98 | 29,96 kr | 59,92 kr | 362,90 kr |
| 100 - 198 | 22,85 kr | 45,70 kr | 2 525,50 kr |
| 200 + | 20,44 kr | 40,88 kr | 5 533,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-5096
- Tillv. art.nr:
- STB140NF75T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | STripFET F3 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 310W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 9.35mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie STripFET F3 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 310W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 9.35mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 4.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal STripFETTM F3, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET F3
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 75 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F3 AEC-Q101
