onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 9.4 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, QFET
- RS-artikelnummer:
- 671-0949
- Tillv. art.nr:
- FQD11P06TM
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Lägg till 50 till för att spara 121,00 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
88,26 kr
(exkl. moms)
110,33 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 70 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 980 enhet(er) från den 13 november 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 17,652 kr | 88,26 kr | - |
| 50 - 95 | 15,232 kr | 76,16 kr | 121,00 kr |
| 100 - 495 | 13,194 kr | 65,97 kr | 445,80 kr |
| 500 - 995 | 11,604 kr | 58,02 kr | 3 024,00 kr |
| 1000 + | 10,528 kr | 52,64 kr | 7 124,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-0949
- Tillv. art.nr:
- FQD11P06TM
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | QFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 185mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -4V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 6.1mm | |
| Längd | 6.6mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie QFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 185mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -4V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 6.1mm | ||
Längd 6.6mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode P-kanal MOSFET, ON Semiconductor
Funktioner och fördelar:
Användningsområden:
MOSFET-transistorer, ON Semi
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 9.4 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.33 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, QFET
- onsemi Typ P Kanal, P-kanal QFET MOSFET, 2.7 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 6.6 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, QFET AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 10 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, QFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 15.6 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, QFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 9 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, QFET
