onsemi N Kanal, MOSFET, 9 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, QFET

Se alla MOSFET-transistor
Få en mängdrabatt

Lägg till 50 till för att spara 13%

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

77,50 kr

(exkl. moms)

96,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 340 enhet(er) från den 09 november 2026
  • Dessutom levereras 2 580 enhet(er) från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
Besparing
5 - 4515,50 kr77,50 kr-
50 - 9513,35 kr66,75 kr13%
100 - 49511,58 kr57,90 kr25%
500 - 99510,192 kr50,96 kr34%
1000 +9,252 kr46,26 kr40%

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
671-0942
Tillv. art.nr:
FQD12N20LTM
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

TO-252

Serie

QFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

280mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

16nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

6.1mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.6mm

Höjd

2.3mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

QFET® N-kanal MOSFET, 6 A till 10,9 A, Fairchild Semiconductor


FairFairchild Semiconductors nya QFET® planära MOSFET-enheter använder avancerad, proprietär teknik för att erbjuda bästa driftsprestanda i klassen för ett brett utbud av tillämpningar, inklusive strömförsörjningar, PFC (Power Factor Correction), DC-DC-omvandlare, plasmadisplaypaneler (PDP), förkopplingsdon för belysning och rörelsestyrning.

De erbjuder minskad on-state-förlust genom att sänka on-resistansen (RDS(on)), och minskad switching-förlust genom att sänka grindladdningen (Qg) och utgångskapaciteten (Coss). Genom att använda avancerad QFET®-processteknik kan Fairchild erbjuda en förbättrad meritfaktor (FOM) jämfört med konkurrerande Planar MOSFET-enheter.

MOSFET-transistorer, ON Semi


><

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.