onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 11.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 671-0728
- Tillv. art.nr:
- FDS8880
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer att finnas i lager igen, den har utgått från tillverkaren.
- RS-artikelnummer:
- 671-0728
- Tillv. art.nr:
- FDS8880
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 23nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Längd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 23nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.5mm | ||
Längd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, 10A till 19,9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 6.1 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 12.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 10.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 12.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench