onsemi N Kanal, MOSFET, 13 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 671-0582
- Tillv. art.nr:
- FDS6670A
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
67,20 kr
(exkl. moms)
84,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 500 enhet(er) levereras från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 13,44 kr | 67,20 kr |
| 50 - 95 | 11,58 kr | 57,90 kr |
| 100 - 495 | 10,058 kr | 50,29 kr |
| 500 - 995 | 8,848 kr | 44,24 kr |
| 1000 + | 8,02 kr | 40,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-0582
- Tillv. art.nr:
- FDS6670A
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.7V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4mm | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.7V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4mm | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, 10A till 19,9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 13 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 11.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 8.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 10.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 11 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 12.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench