Sök efter MPN

onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

RS-artikelnummer:: 671-0321
Distrelec artikelnummer:: 304-43-725
Tillv. art.nr:: BSS123
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

26,21 kr

(exkl. moms)

32,76 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

1 430 enhet(er) är redo att levereras
Plus 580 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
Dessutom levereras 27 110 enhet(er) från den 09 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
10 - 90	2,621 kr	26,21 kr
100 - 240	2,363 kr	23,63 kr
250 +	2,094 kr	20,94 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 671-0321
Distrelec artikelnummer:: 304-43-725
Tillv. art.nr:: BSS123
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	onsemi
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	170mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	SOT-23
	Serie	PowerTrench
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	6Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	1.8nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	360mW
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	1.3mm
	Höjd	0.93mm
	Längd	2.92mm
	Fordonsstandard	AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

	Välj alla
	Varumärke onsemi
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 170mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp SOT-23
	Serie PowerTrench
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 6Ω
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.8nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 360mW
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 1.3mm
	Höjd 0.93mm
	Längd 2.92mm
	Fordonsstandard AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

PowerTrench® N-kanalig MOSFET, upp till 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-transistorer, ON Semi

ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.