DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.1 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, ZXMP6A13F AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 669-7543
- Tillv. art.nr:
- ZXMP6A13FTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
171,35 kr
(exkl. moms)
214,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 72 675 enhet(er) levereras från den 27 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 125 | 6,854 kr | 171,35 kr |
| 150 - 725 | 4,158 kr | 103,95 kr |
| 750 - 1475 | 3,951 kr | 98,78 kr |
| 1500 + | 3,329 kr | 83,23 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 669-7543
- Tillv. art.nr:
- ZXMP6A13FTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | ZXMP6A13F | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 400mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.95V | |
| Maximal effektförlust Pd | 806mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.9nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.05mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie ZXMP6A13F | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 400mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.95V | ||
Maximal effektförlust Pd 806mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.9nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.05mm | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
P-kanal MOSFET, 40 V till 90 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.1 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, ZXMP6A13F AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.1 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 90 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 75 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 35 mA 200 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
