DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 669-7518
- Tillv. art.nr:
- ZXMP3A13FTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
35,84 kr
(exkl. moms)
44,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 10 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 2 930 enhet(er) från den 26 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 20 | 3,584 kr | 35,84 kr |
| 30 - 140 | 2,128 kr | 21,28 kr |
| 150 - 740 | 1,859 kr | 18,59 kr |
| 750 - 1490 | 1,568 kr | 15,68 kr |
| 1500 + | 1,299 kr | 12,99 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 669-7518
- Tillv. art.nr:
- ZXMP3A13FTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 210mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.95V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 806mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 3.05mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 210mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.95V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 806mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 3.05mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
P-kanal MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 100 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, ZXMP10A17E6 AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.1 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 90 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 75 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101