Infineon N Kanal, MOSFET, 65 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 650-4277
- Tillv. art.nr:
- IRFB4227PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
24,75 kr
(exkl. moms)
30,94 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 20 enhet(er) från den 02 november 2026
- Dessutom levereras 933 enhet(er) från den 26 augusti 2027
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 21 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 24,75 kr |
| 10 - 24 | 23,41 kr |
| 25 - 49 | 22,85 kr |
| 50 - 99 | 21,50 kr |
| 100 + | 19,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 650-4277
- Tillv. art.nr:
- IRFB4227PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 65A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 24mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 70nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 330W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 4.82mm | |
| Höjd | 9.02mm | |
| Längd | 10.66mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 65A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 24mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 70nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 330W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 4.82mm | ||
Höjd 9.02mm | ||
Längd 10.66mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 200 V maximal drain-source-spänning, 65 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRFB4227PBF
Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet med hög strömstyrka som är utformad för strömomkoppling och styrning i krävande elektroniska system. Den fungerar i ett brett temperaturområde och levereras i en TO-220-kapsling med genomgående hål som är lämplig för konventionell kretskortsmontering. Enheten uppfyller RoHS-kraven och är avsedd för tillämpningar som kräver betydande kontinuerlig strömhantering och termisk motståndskraft.
Funktioner och fördelar:
• Låg Rds(on) på 24 mΩ ger minskade ledningsförluster
• 330 W effektförlust möjliggör hållbar hantering av termisk belastning
• 70nC grindladdning möjliggör snabbare växlingsövergångar
• 30 V gate-tolerans stöder robusta gate-drivmarginaler
• Klassificering -40 °C till 175 °C upprätthåller breda driftsmiljöer
• 330 W effektförlust möjliggör hållbar hantering av termisk belastning
• 70nC grindladdning möjliggör snabbare växlingsövergångar
• 30 V gate-tolerans stöder robusta gate-drivmarginaler
• Klassificering -40 °C till 175 °C upprätthåller breda driftsmiljöer
Användningsområden
• Lämplig för DC-motorstyrningar med hög strömstyrning
• Idealisk för switchade nätaggregat och omvandlare
• Används med batterihantering och strömfördelningssystem
• Kan användas för industriella växelriktarsteg
• Lämplig för generell strömomkoppling på kort med genomgående hål
• Idealisk för switchade nätaggregat och omvandlare
• Används med batterihantering och strömfördelningssystem
• Kan användas för industriella växelriktarsteg
• Lämplig för generell strömomkoppling på kort med genomgående hål
Vad är enhetens förpackning och monteringsstil?
Den levereras i en TO-220-förpackning och är avsedd för montering med genomgående hål.
Vilka extrema drifttemperaturer tål den?
Den är klassad för drift från -40 °C upp till 175 °C.
Hur hanterar enheten regleringsmaterialbegränsningar?
Den överensstämmer med RoHS-standarder som begränsar farliga ämnen.
Vad är kanaltypen och ledningsläget?
Det är en N-kanal-enhet som arbetar i förstärkningsläge.
Vilka är grind- och avtappningsspänningsgränserna?
Grinden är klassad för ±30 V och dränering till källa är högst 200 V.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 65 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 250 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 76 A 200 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 65 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET