Vishay N Kanal, MOSFET, 23 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SUD23N06-31
- RS-artikelnummer:
- 636-5397
- Tillv. art.nr:
- SUD23N06-31-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
75,26 kr
(exkl. moms)
94,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 270 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 15,052 kr | 75,26 kr |
| 50 - 245 | 12,79 kr | 63,95 kr |
| 250 - 495 | 10,572 kr | 52,86 kr |
| 500 - 1245 | 9,924 kr | 49,62 kr |
| 1250 + | 9,318 kr | 46,59 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 636-5397
- Tillv. art.nr:
- SUD23N06-31-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 23A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | SUD23N06-31 | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 31mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 31.25W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Höjd | 2.38mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 23A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie SUD23N06-31 | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 31mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 31.25W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Höjd 2.38mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 6.22mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay SUD23N06-31-serien MOSFET, 60 V maximal dräneringskällspänning, 23 A maximal kontinuerlig dräneringsström - SUD23N06-31-GE3
Denna n-kanalförbättrings-MOSFET är en ytmonterad effekttransistor som är utformad för omkopplings- och strömhanteringsroller i elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för tillämpningar som kräver måttlig spänningshantering och betydande kontinuerlig strömkapacitet. Enheten levereras i en TO-252-kapsel för enkel kretskortsmontering och termisk anslutning.
Funktioner och fördelar:
• 60 V drain-source-motstånd möjliggör medelspänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 23 A stöder höga strömbelastningar
• 31 mΩ låg Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• 11 nC typisk grindladdning ger snabbare omkoppling med lägre drivenergi
• 31,25 W effektförlust möjliggör hantering av betydande värmebelastning
• Kontinuerlig dräneringsström på 23 A stöder höga strömbelastningar
• 31 mΩ låg Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• 11 nC typisk grindladdning ger snabbare omkoppling med lägre drivenergi
• 31,25 W effektförlust möjliggör hantering av betydande värmebelastning
Användningsområden
• Lämpligt för omkopplingssteg för DC-DC-omvandlare
• Idealisk för strömfördelning i motordrivkretsar
• Används med batterihanterings- och strömskenkretsar
• Kan användas för strömbrytare för LED-drivare
• Idealisk för strömfördelning i motordrivkretsar
• Används med batterihanterings- och strömskenkretsar
• Kan användas för strömbrytare för LED-drivare
Vilka gränsspänningsgränser bör jag följa för tillförlitlig drift?
Den maximala gate-källspänningen är 20 V, så gate-drivare och förspänningsnätverk måste hålla Vgs inom det tröskelvärdet för att undvika skador.
Hur fungerar enheten över extrema temperaturer?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till +150 °C, och passar både kalla startförhållanden och förhöjda kopplingstemperaturer i krävande miljöer.
Vilka förpackningsaspekter påverkar termisk hantering på kretskortet?
TO-252-kapseln ger en termisk väg till kortet
lämplig kopparyta och termiska ledningar under monteringsdynen förbättrar värmeavledningen och upprätthåller strömförmågan.
Vilken stiftkonfiguration och antal stift använder den för layoutplanering?
Det är en trepolig enhet, vilket förenklar fotavtryck samtidigt som den stöder direktström- och grindanslutningar för kompakta layouter.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 23 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SUD23N06-31
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IRFR5305PBF
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 5 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 6.4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, E