Vishay N Kanal, MOSFET, 23 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SUD23N06-31

RS-artikelnummer:: 165-2431
Tillv. art.nr:: SUD23N06-31-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, MOSFET, 23 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SUD23N06-31

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

6 866,00 kr

(exkl. moms)

8 582,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 4 000 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2000 +	3,433 kr	6 866,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 165-2431
Tillv. art.nr:: SUD23N06-31-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	23A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	SUD23N06-31
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	31mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	11nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	31.25W
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Höjd	2.38mm
	Längd	6.73mm
	Bredd	6.22mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 23A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Kapseltyp TO-252
	Serie SUD23N06-31
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 31mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 31.25W
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Höjd 2.38mm
	Längd 6.73mm
	Bredd 6.22mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: TW

Vishay SUD23N06-31-serien MOSFET, 60 V maximal dräneringskällspänning, 23 A maximal kontinuerlig dräneringsström - SUD23N06-31-GE3

Denna n-kanalförbättrings-MOSFET är en ytmonterad effekttransistor som är utformad för omkopplings- och strömhanteringsroller i elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för tillämpningar som kräver måttlig spänningshantering och betydande kontinuerlig strömkapacitet. Enheten levereras i en TO-252-kapsel för enkel kretskortsmontering och termisk anslutning.

Funktioner och fördelar:

• 60 V drain-source-motstånd möjliggör medelspänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 23 A stöder höga strömbelastningar
• 31 mΩ låg Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• 11 nC typisk grindladdning ger snabbare omkoppling med lägre drivenergi
• 31,25 W effektförlust möjliggör hantering av betydande värmebelastning

Användningsområden

• Lämpligt för omkopplingssteg för DC-DC-omvandlare
• Idealisk för strömfördelning i motordrivkretsar
• Används med batterihanterings- och strömskenkretsar
• Kan användas för strömbrytare för LED-drivare

Vilka gränsspänningsgränser bör jag följa för tillförlitlig drift?

Den maximala gate-källspänningen är 20 V, så gate-drivare och förspänningsnätverk måste hålla Vgs inom det tröskelvärdet för att undvika skador.

Hur fungerar enheten över extrema temperaturer?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till +150 °C, och passar både kalla startförhållanden och förhöjda kopplingstemperaturer i krävande miljöer.

Vilka förpackningsaspekter påverkar termisk hantering på kretskortet?

TO-252-kapseln ger en termisk väg till kortet

lämplig kopparyta och termiska ledningar under monteringsdynen förbättrar värmeavledningen och upprätthåller strömförmågan.

Vilken stiftkonfiguration och antal stift använder den för layoutplanering?

Det är en trepolig enhet, vilket förenklar fotavtryck samtidigt som den stöder direktström- och grindanslutningar för kompakta layouter.