onsemi N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002L
- RS-artikelnummer:
- 545-0012
- Tillv. art.nr:
- 2N7002LT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
72,70 kr
(exkl. moms)
90,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 250 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 28 600 enhet(er) från den 05 november 2026
- Dessutom levereras 12 000 enhet(er) från den 21 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 1,454 kr | 72,70 kr |
| 500 - 950 | 0,69 kr | 34,50 kr |
| 1000 - 2450 | 0,674 kr | 33,70 kr |
| 2500 - 4950 | 0,654 kr | 32,70 kr |
| 5000 + | 0,636 kr | 31,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 545-0012
- Tillv. art.nr:
- 2N7002LT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 115mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | 2N7002L | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 300mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.9mm | |
| Bredd | 1.3mm | |
| Höjd | 940μm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 115mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie 2N7002L | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 300mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.9mm | ||
Bredd 1.3mm | ||
Höjd 940μm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Effekt-MOSFET med N-kanal, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002L
- onsemi N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- onsemi, Digital transistor SOT-23 N-kanal, 3 Ben Yta
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi N Kanal, MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS7002A
- onsemi N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002KW
- onsemi N Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, FDN357N