onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101

Denna bild representerar endast produktgruppen

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

3 900,00 kr

(exkl. moms)

4 860,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 3 000 enhet(er) levereras från den 12 augusti 2026
  • Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 27 augusti 2026
  • Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 09 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 60001,30 kr3 900,00 kr
9000 - 120001,264 kr3 792,00 kr
15000 - 270001,231 kr3 693,00 kr
30000 - 570001,20 kr3 600,00 kr
60000 +1,17 kr3 510,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
124-1692
Tillv. art.nr:
2N7002
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

115mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

2N7002

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

7.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

200mW

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

223nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.93mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

2.92mm

Fordonsstandard

AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101

Enhancement Mode N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fälteffekttransistorer (FET) i Enhancement Mode tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna högdensitetsprocess har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.