Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 250 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 165-5484
- Tillv. art.nr:
- IRFS7437TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 800 enheter)*
6 352,00 kr
(exkl. moms)
7 936,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 600 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 7,94 kr | 6 352,00 kr |
| 1600 + | 7,742 kr | 6 193,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-5484
- Tillv. art.nr:
- IRFS7437TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 250A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 230W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 250A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximal effektförlust Pd 230W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Bredd 9.65mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Inte relevant
- COO (ursprungsland):
- MX
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 250 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 230 W maximal effektförlust - IRFS7437TRLPBF
Denna MOSFET är avsedd för högpresterande tillämpningar som kräver effektiv strömhantering. Den används inom olika sektorer och erbjuder robusta funktioner som är lämpliga för utmanande miljöer. Dess förmåga att hantera höga ström- och spänningsnivåer gör den väl lämpad för avancerade tekniktillämpningar.
Funktioner & fördelar
• Stöder en maximal kontinuerlig dräneringsström på 250 A för högeffektstillämpningar
• Ger en maximal drain-källspänning på 40 V, vilket säkerställer tillförlitlighet i olika konfigurationer
• Har låg Rds(on) på 1,4 mΩ, vilket bidrar till minskade effektförluster
• Utformad för ytmontering, vilket förenklar installation
• Kan hantera snabba omkopplingstillämpningar, vilket förbättrar effektiviteten
Användningsområden
• Lämplig för borstad motordrivning
• Idealisk för batteridrivna kretsar, vilket möjliggör effektiv strömanvändning
• Används i topologier med halv- och helbrygga för exakt styrning
• Används i synkrona likriktare för att förbättra energibesparingarna
• Kan användas i resonansnätaggregat för stabil prestanda
Hur hanteras effektförlusten under drift?
Effektförlusten hanteras genom en maximal klassning på 230 W, vilket säkerställer termisk stabilitet under höga belastningsförhållanden.
Vad är betydelsen av det låga Rds(on)-värdet?
Det låga Rds(on)-värdet minimerar energiförlusten under drift, vilket förbättrar effektiviteten i tillämpningar med hög ström.
Kan den användas i miljöer med höga temperaturer?
Med ett drifttemperaturområde på -55 °C till +175 °C är den lämplig för olika tillämpningar, inklusive miljöer med höga temperaturer.
Vilka installationsöverväganden bör jag vara medveten om?
Säkerställ korrekt värmehantering enligt specifikationerna för att upprätthålla driftseffektivitet och tillförlitlighet under intensiva tillämpningar.
Är den kompatibel med olika strömförsörjningsdesigner?
Ja, MOSFET är mångsidig och kan integreras i många strömförsörjningsdesigner, vilket ger anpassningsförmåga för olika projekt.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 250 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 250 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 250 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 183 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 173 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 106 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET