Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 74 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 540-9799
- Tillv. art.nr:
- IRF4905PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
29,12 kr
(exkl. moms)
36,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 371 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 187 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 23 397 enhet(er) från den 15 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 29,12 kr |
| 10 - 24 | 27,78 kr |
| 25 + | 26,66 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 540-9799
- Tillv. art.nr:
- IRF4905PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 74A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 20mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 200W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 180nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.54mm | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Bredd | 4.69mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 74A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 20mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 200W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 180nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.54mm | ||
Höjd 8.77mm | ||
Bredd 4.69mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 74 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 200 W maximal effektförlust - IRF4905PBF
Denna MOSFET ger en mångsidig lösning för strömhantering i olika industriella applikationer. Den är konstruerad för hög effektivitet och tillförlitlighet, vilket gör den nödvändig för yrkesverksamma inom elektronik- och elbranschen. Denna produkt har robusta prestandaegenskaper, förbättrar kretsdesignen och säkerställer optimal drift i utmanande miljöer.
Funktioner & fördelar
• Hög kontinuerlig dränströmskapacitet på 74 A för krävande applikationer
• Maximal drain-source-spänning på 55 V möjliggör effektiv strömhantering
• Låg on-resistans på 20mΩ förbättrar energieffektiviteten
• Utformad som en MOSFET med förstärkningsläge för exakt styrning
• TO-220AB-paket för enkel montering och integrering
Användningsområden
• Används i DC-DC-omvandlare för effektiv effektomvandling
• Idealisk för motorstyrning kräver omfattande löpande förvaltning
• Används i nätaggregat för strömlinjeformad drift
• Lämplig för termisk hantering i miljöer med hög belastning
• Används i automationssystem för tillförlitlig omkoppling
Hur gynnar den låga on-resistansen kretsdesignen?
Det minskade on-motståndet minimerar effektförlusterna under drift, vilket förbättrar den totala energieffektiviteten och prestandan, vilket är avgörande i applikationer med hög strömstyrka.
Vad innebär det att använda en TO-220AB-förpackning?
TO-220AB-paketet ger effektiv värmeavledning samtidigt som det är enkelt att installera, vilket gör det till ett förstahandsval i industriella applikationer.
Klarar komponenten av miljöer med höga temperaturer?
Ja, den fungerar effektivt i temperaturer upp till +175°C, vilket är lämpligt för krävande applikationer.
Vilken typ av applikationer kräver den här MOSFETens höga kontinuerliga dräneringsström?
Den höga kontinuerliga dräneringsströmmen lämpar sig för applikationer som motorstyrningar, effektomvandlare och andra system som kräver robust effekthantering.
Hur påverkar gate-threshold-spänningen dess prestanda?
En grindtröskelspänning på mellan 2 V och 4 V ger tillförlitlig switchning, vilket bidrar till exakt styrning i olika elektroniska kretsar.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 74 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 74 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET