Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF9640
- RS-artikelnummer:
- 541-1118
- Distrelec artikelnummer:
- 171-16-478
- Tillv. art.nr:
- IRF9640PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 49,30 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
30,69 kr
(exkl. moms)
38,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 244 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 121 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 785 enhet(er) från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 30,69 kr | - |
| 10 - 49 | 25,76 kr | 49,30 kr |
| 50 - 99 | 24,64 kr | 302,50 kr |
| 100 - 249 | 22,96 kr | 773,00 kr |
| 250 + | 21,50 kr | 2 297,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 541-1118
- Distrelec artikelnummer:
- 171-16-478
- Tillv. art.nr:
- IRF9640PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | IRF9640 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 500mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.41mm | |
| Höjd | 9.01mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie IRF9640 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 500mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.41mm | ||
Höjd 9.01mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanal MOSFET, 100 V till 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF9640
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- onsemi N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, NTPF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SiHA125N60EF
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 1.8 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF9530
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET