Vishay N Kanal, MOSFET, 5.6 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRL
- RS-artikelnummer:
- 541-0610
- Tillv. art.nr:
- IRL510PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
18,93 kr
(exkl. moms)
23,66 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 163 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 8 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 803 enhet(er) från den 14 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 18,93 kr |
| 10 - 49 | 13,55 kr |
| 50 - 99 | 12,66 kr |
| 100 - 249 | 11,54 kr |
| 250 + | 9,97 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 541-0610
- Tillv. art.nr:
- IRL510PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | IRL | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 540mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.1nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.7W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2.5V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -10, +10V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.41mm | |
| Höjd | 9.01mm | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie IRL | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 540mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.1nC | ||
Maximal effektförlust Pd 3.7W | ||
Framåtriktad spänning Vf 2.5V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -10, +10V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.41mm | ||
Höjd 9.01mm | ||
Bredd 4.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 100 V till 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 5.6 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRL
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRL
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRL
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 15 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRL
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 5.6 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 5.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.6 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRF510
