onsemi N Kanal, MOSFET, 18 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRL

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
807-8711
Tillv. art.nr:
IRL640A
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

18A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Serie

IRL

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

180mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

40nC

Maximal effektförlust Pd

110W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.67mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.7mm

Höjd

16.3mm

Fordonsstandard

Nej

Enhancement Mode N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fälteffekttransistorer (FET) i Enhancement Mode tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna högdensitetsprocess har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.

MOSFET-transistorer, ON Semi


><

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.