Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRLZ
- RS-artikelnummer:
- 541-0604
- Distrelec artikelnummer:
- 171-18-805
- Tillv. art.nr:
- IRLZ14PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
30,73 kr
(exkl. moms)
38,41 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 998 enhet(er) levereras från den 25 september 2026
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 19 februari 2027
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 12 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 30,73 kr |
| 10 - 49 | 29,12 kr |
| 50 + | 24,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 541-0604
- Distrelec artikelnummer:
- 171-18-805
- Tillv. art.nr:
- IRLZ14PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | IRLZ | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 200mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal effektförlust Pd | 43W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.41mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.01mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie IRLZ | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 200mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal effektförlust Pd 43W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.41mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.01mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 60 V till 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRLZ
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MTP3055VL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UltraFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 79 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET