STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 486-0171
- Tillv. art.nr:
- IRF630
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
82,66 kr
(exkl. moms)
103,325 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 245 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 70 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 105 enhet(er) från den 30 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 16,532 kr | 82,66 kr |
| 50 - 245 | 13,458 kr | 67,29 kr |
| 250 - 495 | 10,25 kr | 51,25 kr |
| 500 + | 9,092 kr | 45,46 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 486-0171
- Tillv. art.nr:
- IRF630
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | STripFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 400mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 31nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 75W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 9.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie STripFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 400mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal effektförlust Pd 75W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 9.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal STripFETTM, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 26 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET