STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 50 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 485-7642
- Distrelec artikelnummer:
- 304-33-830
- Tillv. art.nr:
- STP40NF10
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
102,82 kr
(exkl. moms)
128,525 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Dessutom levereras 60 enhet(er) från den 14 september 2026
- Dessutom levereras 15 enhet(er) från den 14 september 2026
- Dessutom levereras 6 145 enhet(er) från den 21 september 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 20,564 kr | 102,82 kr |
| 50 - 245 | 12,812 kr | 64,06 kr |
| 250 - 495 | 9,768 kr | 48,84 kr |
| 500 + | 8,74 kr | 43,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 485-7642
- Distrelec artikelnummer:
- 304-33-830
- Tillv. art.nr:
- STP40NF10
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | STripFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 28mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 46.5nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 9.15mm | |
| Bredd | 4.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie STripFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 28mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 46.5nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 9.15mm | ||
Bredd 4.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal STripFETTM, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 26 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
