STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- RS-artikelnummer:
- 485-7816
- Distrelec artikelnummer:
- 304-01-340
- Tillv. art.nr:
- STP60NF06L
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 530,10 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
128,35 kr
(exkl. moms)
160,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 135 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 190 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 260 enhet(er) från den 20 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 25,67 kr | 128,35 kr | - |
| 50 - 245 | 15,068 kr | 75,34 kr | 530,10 kr |
| 250 - 495 | 10,628 kr | 53,14 kr | 3 760,50 kr |
| 500 + | 8,292 kr | 41,46 kr | 8 689,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 485-7816
- Distrelec artikelnummer:
- 304-01-340
- Tillv. art.nr:
- STP60NF06L
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | STripFET II | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 14mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 35nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -15V, +15V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 9.15mm | |
| Bredd | 4.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie STripFET II | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 14mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 35nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -15V, +15V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 9.15mm | ||
Bredd 4.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 38 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II