STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- RS-artikelnummer:
- 687-5311
- Tillv. art.nr:
- STP80NF10FP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
61,60 kr
(exkl. moms)
77,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 544 enhet(er) från den 06 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 2 | 30,80 kr | 61,60 kr |
| 4 + | 29,23 kr | 58,46 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-5311
- Tillv. art.nr:
- STP80NF10FP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | STripFET II | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 135nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 45W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 9.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie STripFET II | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 135nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 45W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 9.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 80 A 100 V Förbättring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 80 A 75 V Förbättring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 80 A 55 V Förbättring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 38 A 60 V Förbättring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 55 A 60 V Förbättring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 60 A 60 V Förbättring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 50 A 60 V Förbättring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 120 A 100 V Förbättring TO-220, STripFET II
