Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFZ48R
- RS-artikelnummer:
- 281-6036
- Distrelec artikelnummer:
- 304-42-108
- Tillv. art.nr:
- IRFZ48RPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
152,14 kr
(exkl. moms)
190,17 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 30,428 kr | 152,14 kr |
| 50 - 95 | 26,624 kr | 133,12 kr |
| 100 - 245 | 23,764 kr | 118,82 kr |
| 250 - 495 | 22,396 kr | 111,98 kr |
| 500 + | 20,874 kr | 104,37 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 281-6036
- Distrelec artikelnummer:
- 304-42-108
- Tillv. art.nr:
- IRFZ48RPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | IRFZ48R | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.018Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 110nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 190W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie IRFZ48R | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.018Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 110nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 190W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay IRFZ48R-serien effekt-MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 50 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRFZ48RPBF
Denna effekt-MOSFET är en N-kanalstransistor med genomgående hål avsedd för omkopplings- och strömhanteringsroller inom industriell och kommersiell elektronik. Den är utformad för att fungera i ett brett temperaturområde och passar krävande miljöer där hög strömhantering och robust termisk prestanda krävs. Enheten har förstärkningsläge för kanalstyrning för effektiv ledning i strömkretsar.
Funktioner och fördelar:
• Låg påslagningsresistans på 0.018 Ω minskar ledningsförluster
• Hög kontinuerlig dräneringsström 50 A stöder tunga laster
• Maximal effektförlust på 190 W möjliggör drift med hög effekt
• Maximal drain-källspänning 60 V möjliggör medelspänningssystem
• Typisk grindladdning på 110 nC underlättar förutsägbart omkopplingsbeteende
• Gate-source-klassning 20 V ger standard-gate-drive-kompatibilitet
• Hög kontinuerlig dräneringsström 50 A stöder tunga laster
• Maximal effektförlust på 190 W möjliggör drift med hög effekt
• Maximal drain-källspänning 60 V möjliggör medelspänningssystem
• Typisk grindladdning på 110 nC underlättar förutsägbart omkopplingsbeteende
• Gate-source-klassning 20 V ger standard-gate-drive-kompatibilitet
Användningsområden
• Används för motorstyrningsstegen i industriella styrenheter
• Lämplig för DC/DC-omvandlare och nätaggregat
• Idealisk för switchade effektförstärkningskretsar
• Kan användas för batterihantering och skyddssystem
• Används med kylelement i högeffektsmoduler
• Lämplig för DC/DC-omvandlare och nätaggregat
• Idealisk för switchade effektförstärkningskretsar
• Kan användas för batterihantering och skyddssystem
• Används med kylelement i högeffektsmoduler
Vilken monteringsmetod kräver den för montering?
Den levereras i en TO-220AB-kapsel konfigurerad för montering med genomgående hål och vanligt kylelementfäste.
Hur fungerar den i extrema omgivningstemperaturer?
Enheten är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i tuffa termiska förhållanden utan att minska den grundläggande funktionaliteten.
Vilka överväganden om grinddrivning rekommenderas?
Den maximala gate-källspänningen är 20 V
bör konstruktörer begränsa enhetsamplituden i enlighet med detta och ta hänsyn till den typiska grindladdningen på 110 nC vid storleksanpassning av grinddrivare.
Hur bör värmehantering hanteras i högeffektskonstruktioner?
Med en maximal effektförlust på 190 W, implementera lämpliga kylelement och termiska gränssnittsmaterial och överväg värmevägar för kretskort för att bibehålla kopplingstemperaturer inom gränserna.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFZ48R
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 48 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFZ
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 17 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFZ
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 8 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRF840A
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 3.1 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFBG30
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 4.1 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFBE30
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 3.6 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFBE
