Sök efter MPN

Vishay N Kanal, MOSFET, 277 A 100 V Förbättring, 4 Ben, 8x8L, SIJH

Name: Vishay N Kanal, MOSFET, 277 A 100 V Förbättring, 4 Ben, 8x8L, SIJH
Brand: Vishay
SKU: 279-9938
Availability: InStock

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

80,08 kr

(exkl. moms)

100,10 kr

(inkl. moms)

I lager

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

*vägledande pris

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	277A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Serie	SIJH
	Kapseltyp	8x8L
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	0.00189Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	333W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	128nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Längd	7.9mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 277A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Serie SIJH
	Kapseltyp 8x8L
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 0.00189Ω
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 333W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 128nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Längd 7.9mm
	Fordonsstandard Nej

Vishay MOSFET är en N-kanal MOSFET och transistorn i den är tillverkad av material som kallas kisel.

TrenchFET effekt MOSFET

Helt blyfri (Pb)-enhet

Mycket låg RDS x Qg meritfaktor

100 procent Rg- och UIS-testat

Relaterade länkar

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.