Vishay N Kanal, MOSFET, 56.7 A 100 V Förbättring, 7 Ben, SO-8L, SIJ
- RS-artikelnummer:
- 279-9934
- Tillv. art.nr:
- SIJ4108DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (4 enheter, i en förpackning med 4)*
108,19 kr
(exkl. moms)
135,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | 27,048 kr | 108,19 kr |
| 60 - 96 | 25,76 kr | 103,04 kr |
| 100 - 236 | 22,988 kr | 91,95 kr |
| 240 - 996 | 22,625 kr | 90,50 kr |
| 1000 + | 22,175 kr | 88,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 279-9934
- Tillv. art.nr:
- SIJ4108DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 56.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SO-8L | |
| Serie | SIJ | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.009Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 69.4W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.13mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 56.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SO-8L | ||
Serie SIJ | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.009Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximal effektförlust Pd 69.4W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.13mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay MOSFET är en N-kanal MOSFET och transistorn i den är tillverkad av material som kallas kisel.
TrenchFET effekt MOSFET
Helt blyfri (Pb)-enhet
Mycket låg RDS x Qg meritfaktor
100 procent Rg- och UIS-testat
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 56.7 A 100 V Förbättring, 7 Ben, SO-8L, SIJ
- Vishay N Kanal, MOSFET, 59 A 100 V Förbättring, 7 Ben, SO-8L, SIJ
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 44.4 A 80 V Förbättring, 7 Ben, SO-8L, SIJ
- Vishay N Kanal, MOSFET, 126 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, SiJA
- Vishay N Kanal, MOSFET, 60 A 80 V, PowerPAK SO-8L
- Vishay N Kanal, MOSFET, 265 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 225 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 478 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS