Vishay N Kanal, MOSFET, 56.7 A 100 V Förbättring, 7 Ben, SO-8L, SIJ

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

27 639,00 kr

(exkl. moms)

34 548,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 6 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +9,213 kr27 639,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
279-9933
Tillv. art.nr:
SIJ4108DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

56.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

SIJ

Kapseltyp

SO-8L

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

0.009Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

40nC

Maximal effektförlust Pd

69.4W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

5.13mm

Fordonsstandard

Nej

Vishay MOSFET är en N-kanal MOSFET och transistorn i den är tillverkad av material som kallas kisel.

TrenchFET effekt MOSFET

Helt blyfri (Pb)-enhet

Mycket låg RDS x Qg meritfaktor

100 procent Rg- och UIS-testat

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.