Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 51 A 600 V Förbättring, 8 Ben, 8x8LR, E

RS-artikelnummer:: 279-9928
Tillv. art.nr:: SIHR080N60E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 51 A 600 V Förbättring, 8 Ben, 8x8LR, E

För närvarande inte tillgänglig

Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.

RS-artikelnummer:: 279-9928
Tillv. art.nr:: SIHR080N60E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	51A
	Maximal källspänning för dränering Vds	600V
	Kapseltyp	8x8LR
	Serie	E
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.084Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal effektförlust Pd	500W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	63nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	8mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp N
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 51A
	Maximal källspänning för dränering Vds 600V
	Kapseltyp 8x8LR
	Serie E
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.084Ω
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal effektförlust Pd 500W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 8mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SIHR080N60E-T1-GE3

Vishay serie E Power MOSFET, 600 V maximal drain source-spänning, 51 A maximal kontinuerlig drain-ström - SIHR080N60E-T1-GE3

Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för krävande effektomvandlings- och omkopplingsroller i ytmonterade tillämpningar. Den erbjuder en kombination av hög blockeringsspänning, betydande kontinuerlig strömkapacitet och en grindspänningsklassning som är lämplig för vanliga drivkretsar, vilket gör den lämplig för system som behöver kompakt omkoppling med hög effekt i begränsade layouter.

Funktioner och fördelar:

• 600 V blockeringskapacitet möjliggör användning av högspänningssystem
• 51 A kontinuerlig ström med stöd för hantering av tung belastning
• 0.084 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• 500 W effektförlust möjliggör kontinuerlig hantering av hög effekt
• 63 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• Grindklassning på 30 V skyddar mot överdriven grindstyrningsspänning

Användningsområden

• Lämplig för switchade nätaggregat med hög spänning
• Idealisk för industriella motordrivning front-ends
• Används med växelriktarsteg för förnybar energi
• Kan användas för effektfaktorkorrigeringskretsar
• Lämplig för svetsning med medelstor effekt och induktionsuppvärmning

Vilket temperaturområde tål den i tuffa miljöer?

Den fungerar i temperaturer från -55 °C till 150 °C, vilket möjliggör användning i breda termiska förhållanden utan nedgradering för måttliga temperaturer.

Hur stöder paketet kompakta kretskortsdesigner?

Det 8-stifts ytmonterade fotavtrycket 8x8LR möjliggör tät placering av kortet samtidigt som det ger tillräcklig termisk och elektrisk anslutning.

Vad är framspänningen under ledning och dess inverkan?

Typisk framspänning är 1,2 V, vilket påverkar spänningsfallet i påläge och måste beaktas vid termiska beräkningar och effektivitetsberäkningar.

Är denna enhet lämplig för fordonsspecifikationer?

Den är inte specificerad som fordonsklassad, så den bör inte antas överensstämma med fordonsspecifika standarder för fordonselektronik.