Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 600 V Förbättring, 8 Ben, 8x8LR, SIHR

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

74,14 kr

(exkl. moms)

92,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 964 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 4974,14 kr
50 - 9955,78 kr
100 - 24949,28 kr
250 - 99948,38 kr
1000 +47,49 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9929
Tillv. art.nr:
SIHR080N60E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

51A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

SIHR

Kapseltyp

8x8LR

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.084Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

500W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

63nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

8mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

Relaterade länkar