Vishay N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SIHF
- RS-artikelnummer:
- 279-9906
- Tillv. art.nr:
- SIHF074N65E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 11%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
2 798,50 kr
(exkl. moms)
3 498,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 950 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | 55,97 kr | 2 798,50 kr | - |
| 100 + | 49,757 kr | 2 487,85 kr | 11% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 279-9906
- Tillv. art.nr:
- SIHF074N65E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | SIHF | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.079Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 39W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 10.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie SIHF | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.079Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximal effektförlust Pd 39W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 10.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay SIHF-serien MOSFET, 650 V maximal drain-källspänning, 14 A maximal kontinuerlig drain-ström - SIHF074N65E-GE3
Denna MOSFET är en högspänningseffekttransistor med N-kanal som är utformad för genomgående hålmontering i energihanterings- och omkopplingsmiljöer. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och är avsedd för tillämpningar som kräver betydande spänningshantering och måttlig strömkapacitet samtidigt som den uppfyller RoHS-restriktioner.
Funktioner och fördelar:
• Drain-klassning på 650 V möjliggör högspänningskopplingskapacitet
• Kontinuerlig dräneringsström på 14 A stöder kontinuerlig strömförsörjning
• 0.079 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• 39 W effektförlust möjliggör ökad värmegenomföring
• 8 nC typisk grindladdning säkerställer responsivt omkopplingsbeteende
• 30 V grindtolerans möjliggör brett drivspänningsområde
• Kontinuerlig dräneringsström på 14 A stöder kontinuerlig strömförsörjning
• 0.079 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• 39 W effektförlust möjliggör ökad värmegenomföring
• 8 nC typisk grindladdning säkerställer responsivt omkopplingsbeteende
• 30 V grindtolerans möjliggör brett drivspänningsområde
Användningsområden
• Lämpligt för switchade nätaggregat med hög spänning
• Idealisk för industriella motorstyrningsväxelriktare
• Används med högspännings-DC-DC-omvandlartopologier
• Kan användas för omvandling av förnybar energi
• Lämplig för effektfaktorkorrigering av front-end-kretsar
• Idealisk för industriella motorstyrningsväxelriktare
• Används med högspännings-DC-DC-omvandlartopologier
• Kan användas för omvandling av förnybar energi
• Lämplig för effektfaktorkorrigering av front-end-kretsar
Vilka termiska extremer kan denna enhet tolerera under drift?
Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i tuffa termiska miljöer där bred temperaturmotståndskraft krävs.
Vilken monteringsmetod krävs för installation?
Komponenten använder en TO-220-kapsel med genomgående hål avsedd för kretskortsmontering med ett standard-kylelementalternativ för förbättrad värmehantering.
Hur påverkar grindegenskaper omkopplingsdesignen?
En typisk grindladdning på 8 nC vid den angivna grinddrivnivån informerar grinddrivarvalet för att balansera omkopplingshastigheten mot drivkraftens strömförbrukning.
Finns det begränsningar för gate-drivspänningen för att undvika skador?
Enheten accepterar gate-till-källspänningar på upp till 30 V, så konstruktionerna måste säkerställa att drivkretsarna inte överskrider denna tröskel.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SIHF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 4.3 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 12 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO 220 FullPAK, SF Series
- onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220