Vishay N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SIHF
- RS-artikelnummer:
- 279-9906
- Tillv. art.nr:
- SIHF074N65E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (50 enheter, i ett rör med 50)*
2 798,50 kr
(exkl. moms)
3 498,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 950 enhet(er) från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 55,97 kr | 2 798,50 kr |
| 100 + | 49,757 kr | 2 487,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 279-9906
- Tillv. art.nr:
- SIHF074N65E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | SIHF | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.079Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 39W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 10.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie SIHF | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.079Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 39W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 10.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay SIHF-serien MOSFET, 650 V drain-källspänning, 14 A kontinuerlig drain-ström – SIHF074N65E-GE3
Denna MOSFET är en högspänningstransistor som är utformad för strömomvandling och styrning i industriell elektronik. Den fungerar som en N-kanalförstärkningsenhet i en TO-220-kapsel med genomgående hål, vilket ger ett praktiskt val för reparerbara monteringar och prototyper där robust spänningshantering och enkel montering behövs.
Funktioner och fördelar:
• 650 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar • Kontinuerlig dräneringsström på 14 A stöder hållbar belastningshantering • 0,079 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning • 8 nC typisk grindladdning ger förutsägbart omkopplingsbeteende • Maximal gate-source-klassning på 30 V möjliggör breda gate-drivenhetsmarginaler • 39 W effektförlustkapacitet hanterar termisk stress under drift
Användningsområden
• Lämpligt för switchade nätaggregat med hög spänning • Idealisk för industriella motorstyrningsfrontändar • Används för effektfaktorkorrigeringssteg i omvandlare • Kan användas för växelriktarelektronik och svetsningselektronik • Lämpligt för laboratorieprototyper och reparationer av genomgående hål
Vilket temperaturområde tål den under drift?
Den är specificerad för drift ned till -55 °C och upp till 150 °C maximal kopplingstemperatur för miljöer med höga temperaturer.
Hur många monteringsstift och vilket paket använder den?
Den levereras i en TO-220-förpackning med genomgående hål med tre stift för enkel montering på kretskort eller kylelement.
Vilken typisk dynamisk egenskap påverkar omkopplingsförluster?
Den typiska grindladdningen är 8 nC vid den nominella grinddrivningen, vilket påverkar omkopplingsövergångsenergin och drivstorleken.
Är den lämplig för fordonskvalificeringsprocesser?
Den är inte betecknad som en del enligt fordonsstandard och bör därför inte användas där certifiering för fordonsstandard krävs.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SIHF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 4.3 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 12 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO 220 FullPAK, SF Series
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220