Vishay N Kanal, MOSFET, 4.3 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- RS-artikelnummer:
- 200-6806
- Tillv. art.nr:
- SiHA690N60E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 200-6806
- Tillv. art.nr:
- SiHA690N60E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 700mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 29W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 13.8mm | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Längd | 10.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie E | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 700mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 29W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 13.8mm | ||
Bredd 4.7mm | ||
Längd 10.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay SiHA690N60E-GE3 är en Effekt-MOSFET i E-serien.
4:e generationens E-seriens teknik
Låg meritfaktor
Låg effektiv kapacitans
Minskade kopplings- och ledningsförluster
Avalanche Energy Rating (UIS)
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 4.3 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SIHF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 35 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 6.4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 32 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E