Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -18.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, SPP18P06P-H AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 273-7552
- Tillv. art.nr:
- SPP18P06PHXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
378,20 kr
(exkl. moms)
472,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 400 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 7,564 kr | 378,20 kr |
| 100 + | 6,18 kr | 309,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-7552
- Tillv. art.nr:
- SPP18P06PHXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -18.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PG-TO252-3 | |
| Serie | SPP18P06P-H | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.13Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.33V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 81.1W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Standarder/godkännanden | Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS | |
| Längd | 40mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -18.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PG-TO252-3 | ||
Serie SPP18P06P-H | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.13Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.33V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximal effektförlust Pd 81.1W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.5mm | ||
Standarder/godkännanden Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS | ||
Längd 40mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons MOSFET är en P-kanal MOSFET med liten signal. Dessa produkter uppfyller konsekvent de högsta kvalitets- och prestandakraven i nyckelspecifikationer för strömförsörjningsdesign, t. ex. på resistans och meritfaktor. Det är halogenfritt enligt IEC61249 2 21.
RoHS-kompatibel
Avalanche-klassad
Förbättringsläge
Blyfri ytbehandling
Kvalificerad enligt AEC Q101
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -18.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, SPP18P06P-H AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -18.6 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, SPD18P06P G AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -4.2 A 100 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, SPD04P10PL G AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 6.5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -16.4 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 8.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, ISA
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 137 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS