Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -4.2 A 100 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, SPD04P10PL G AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 273-7551
- Tillv. art.nr:
- SPD04P10PLGBTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
68,10 kr
(exkl. moms)
85,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Håller på att utgå
- Slutlig(a) 2 240 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 6,81 kr | 68,10 kr |
| 50 - 90 | 6,675 kr | 66,75 kr |
| 100 - 240 | 6,25 kr | 62,50 kr |
| 250 - 990 | 5,757 kr | 57,57 kr |
| 1000 + | 5,656 kr | 56,56 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-7551
- Tillv. art.nr:
- SPD04P10PLGBTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -4.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PG-TO252-3 | |
| Serie | SPD04P10PL G | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 850mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.94V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 38W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC Q101, RoHS | |
| Bredd | 40mm | |
| Längd | 40mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -4.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PG-TO252-3 | ||
Serie SPD04P10PL G | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 850mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.94V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 38W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.5mm | ||
Standarder/godkännanden AEC Q101, RoHS | ||
Bredd 40mm | ||
Längd 40mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons MOSFET är en P-kanals effekt-MOSFET. Dessa produkter uppfyller konsekvent de högsta kvalitets- och prestandakraven i nyckelspecifikationer för strömförsörjningsdesign, t. ex. på resistans och meritfaktor. Den är kvalificerad enligt AEC Q101.
Logiknivå
RoHS-kompatibel
Förbättringsläge
Blyplätering utan bly
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -4.2 A 100 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, SPD04P10PL G AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -18.6 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, SPD18P06P G AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -18.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, SPP18P06P-H AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 6.5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -16.4 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 8.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, ISA
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 137 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS